Comments • 12 · DIY Physical Vapor Deposition (PVD) using Thermal Evaporation · Dr. 阿泰的技術教室( RF 篇) · 精密塗佈真空蒸鍍技術世界第一根留台灣 · 【 ... ... <看更多>
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Comments • 12 · DIY Physical Vapor Deposition (PVD) using Thermal Evaporation · Dr. 阿泰的技術教室( RF 篇) · 精密塗佈真空蒸鍍技術世界第一根留台灣 · 【 ... ... <看更多>
#1. 何謂電漿濺鍍法?
Q:何謂電漿濺鍍法(Plasma Sputtering Deposition)? ... 所以,以DC電漿進行薄膜之濺鍍時,所沈積之薄膜材質須為電的導體(如鋁及鈦等金屬)。通常以“靶材”來表示用在濺鍍製程裡 ...
電源輸入的方式不一樣,可以分為直流磁控濺鍍(DC magnetron sputtering). 與射頻磁控濺鍍(RF magnetron sputtering)兩種,所使用靶材的種類亦受到. 限制,如直流濺鍍 ...
濺鍍 機大致上可以分為直流二極式(DC Diode)、直流三極式(DC Triode)、. 射頻二極式(RF Diode)、射頻三極式(RF Triode)、直流磁電式(DC Magnetron)和. 射頻磁電式(RF ...
#4. 實驗十濺鍍實驗講義
實驗目的:. 以磁控射頻濺鍍的方式在玻璃上鍍鋁,使同學了解濺鍍流程。 實驗原理:. 直流濺射鍍膜系統. 直流濺射鍍膜系統基本上是在高真空環境中充入工作 ...
直流濺鍍不能用來濺鍍介電質材料(絕緣體),因為正電荷會累積在材料上而阻止正離子靠. 近,但用射頻(RF)濺鍍則可避免這個問題。此時可在介電質靶材背面加一金屬電極且改用 ...
本研究分別使用直流(direct current, DC)磁控濺鍍及高功率脈衝磁控濺. 鍍(high-power impulse magnetron sputtering, HiPIMS)沉積TiO2 光觸媒薄. 膜,於無鹼玻璃(non- ...
#7. 射頻濺鍍系統(RF Sputter) - 國立清華大學奈微與材料科技中心
一、 用途:. 濺鍍是利用氬離子轟擊靶材,擊出靶材原子變成氣相並析鍍於. 基材上,濺鍍具有廣泛應用的特性幾乎任何材料均可析鍍上,. 可以鍍金屬、氮化物及氧化物材料 ...
本實驗採用磁控濺鍍法,因為. 以濺鍍法沉積AZO 薄膜,不但再現性佳,可在低溫. 成長,且在較高真空鍍下沉積,可使薄膜附著性及. 結構特性較佳,因此本實驗使用交流(RF)磁控 ...
#9. 三靶源射頻濺鍍系統 - ishien vacuum 部落格- 痞客邦
乙先小教學之射頻濺鍍機RF sputter】-- 圖中為三靶源射頻濺鍍系統射頻濺鍍機是一種薄膜製程儀器,適用於電機、機械、電子、光學、材料等研究領域。
#10. 鍍膜技術實務
磁控濺鍍可在較低的氣壓下進行,因此薄膜品質也比未加. 磁場的好,前述三種靶材亦可加入磁場成為磁控式濺鍍,. 以改善薄膜品質,分別稱為DC Magnetron Sputtering、RF.
#11. 共濺鍍薄膜沉積系統Co-Sputtering Deposition System
輝光放電的環境是利用動量傳遞的方式,將置於陰極的濺鍍靶源之原子團撞擊出來,在樣品上形成薄膜。輝光放電可分為直流輝光放電(DC glow discharge)及射頻輝光放電(RF ...
#12. 濺鍍- 維基百科,自由的百科全書
濺射(sputtering),也稱濺鍍(sputter deposition/coating),是一種物理氣相沉積技術,指固體靶"target"(或源"source")中的原子被高能量離子(通常來自電漿)撞擊 ...
#13. 反應式高功率脈衝磁控濺鍍技術的發展
用疊加型高功率脈衝磁控濺鍍系統以及電漿監控系統來製備CrTiBN 與TiCrBN 薄膜之研 ... DC)電源或是射頻(Radio frequency, RF)電源是適當的解決良方[4,5],然而由於射頻 ...
#14. 公司簡介| 高敦科技股份有限公司
成立初以真空代理業務為主,提供各式真空相關零組件,如:射頻(RF)和直流(DC)電漿電源供應器、磁控濺鍍源、氣體質量流量計、真空計、膜厚計和真空幫浦…
#15. 研發處- 射頻/直流濺鍍機 - 元智大學
英文名稱, RF/DC Sputter. 功能說明, 利用電漿對靶材進行離子轟擊,將靶材表面的原子以氣體分子形式發射出來,並到達所要沉積的基板上形成薄膜。
#16. 檢視/開啟
本實驗利用反應性射頻磁控濺鍍系統(RF reactive magnetron sputtering) ... (glow discharge)薄膜技術,即直流(DC)濺射法及射頻(RF)濺射法]17,16,15[ ,另.
#17. 射频溅射_百度百科
射频溅射是利用射频放电等离子体中的正离子轰击靶材、溅射出靶材原子从而沉积在接地的基板表面的技术。射频溅射: 用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统, ...
#18. 常用的鍍膜製程
分子束磊晶成長(Molecular Beam Epitaxy). ◇ 脈衝雷射鍍膜(Pulse Laser Deposition). Sputtering: ◇ 直流濺鍍(DC sputter). ◇ RF sputter. PVD. Chin-Chung Yu.
#19. 射頻濺射 - 中文百科全書
射頻濺射是利用射頻放電電漿中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技術。 ... 中文名:射頻濺射; 外文名:radio frequency sputtering.
#20. 提供各式設備及製程的電漿源Plasma專業廠商。RF Power ...
PHS-08N ... 此系統是為射頻濺鍍,CVD,蝕刻等使用之電源相位調整而設計。本系統可控制在13.56MHz運行的多台RF電源的輸出相位。
#21. 射頻磁控濺鍍法製作之氧化亞錫薄膜特性之研究
關鍵字: 射頻磁控濺鍍法,氧化亞錫,水氣退火,霍爾效應, radio-frequency magnetron sputtering,tin monoxide,water vapor annealing,hall effect,. 出版年: 2014.
#22. 成果報告資料顯示 - 工程科技推展中心
中文摘要, 本計畫的研究方法: 以高速鋼(SKH9)鑽頭為基材,使用射頻磁控濺鍍-物理氣相沉積(RF-PVD),鈦金屬為靶材,氬為濺鍍氣體,控制適量的鈦薄膜,成為基材與類鑽碳 ...
#23. 新型多靶磁控濺鍍系統 - 微型機性測試機
The newly designed multi-target magnetron sputtering system provides three 3” magnetron gun (including 2 DC guns & 1 RF gun). In this system, the base pressure ...
#24. 以射頻磁控濺鍍法製備二氧化鈦光觸媒玻璃之製程參數與特性研究
本研究以射頻磁控濺鍍法(RF magnetron sputtering),使用高純度金屬鈦為靶材,利用一階氧化製程且不另外加熱方式將二氧化鈦(Titania, TiO2)薄膜直接沉積於玻璃基材 ...
#25. 研發總中心/ 先進製程實驗室多靶射頻濺鍍系統操作說明
開啟電源箱中濺鍍系統總電源開關,此時冰水機會自動啟動。 ... 開啟面板下方之RF Power 電源開關(黑色圓形按鈕)及阻抗匹配電源開關(如圖十九所.
#26. 電漿產生器射頻磁控濺鍍
... 搭配全自動化操作介面,電腦觸控式面版,製程全自動化.可以客製化蒸發濺鍍兩用. 可以搭配各式各樣的濺鍍源如DC直流RF射頻SPUTTERING中頻ARC交流等PLASMA電漿產生器 ...
#27. 技術與能力- 友威科技股份有限公司
於濺鍍源(cathode)內加裝磁控裝置,藉著磁場與電場間的電磁效應,所產生的電磁力來影響電漿內電子的移動,使得電子將進行螺旋式的運動。由於磁場的介入,電子將不再是以 ...
#28. 射頻式真空濺鍍系統(RF Sputter System)
射頻式真空濺鍍系統 (RF Sputter System). ○主要規格:. 雙GUN設計,鍍雙層膜可不破真空。 Wafer Size: 4 inch silicon wafer, maximum 8 wafers per each run.
#29. 濺鍍源- 俊尚科技
Thin Film Consulting是德國知名的濺鍍源製造商,其IONIX系列濺鍍源具備優異的沉積 ... various magnet array options; for use with DC-, RF- or HiPIMS processes ...
#30. 直流濺鍍
直流濺鍍. 在真空腔體內加以高電壓,使得工作氣體游離,其中待鍍靶材為陰極;加高 ... 產生能量轉移,進而撞擊出靶材粒子,使粒子濺射出,最終沉積在基板(待鍍物)上。
#31. 物理蒸鍍之種類依蒸發源分類
依電源波形而分,有DC濺射、RF濺射及. MF-pulse DC濺射三種。 ▫ 離化率約5﹪~15﹪。 2005/4/6. 金屬工業研究發展中心. 46. 磁控濺射之優點.
#32. 31-Sputter II 射頻濺鍍 - 臺科大化工系- 國立臺灣科技大學
Department of Chemical Engineering of Taiwan Tech. 儀器分析室. 射頻濺鍍系統(RF Sputter System). 廠牌與型號. Brand and Model. YUTAY(于太). Sputter. 放置地點.
#33. 太陽能濺鍍系統規範
太陽能濺鍍系統規範 ... 磁控濺鍍機基本原理:高能電場加速的正離子衝擊到固體表面, ... 確認DC 及RF generator 與sputtering cathode 是否接妥(依製程需.
#34. RF射頻磁控濺鍍沉積五氧化二鉭薄膜之研究 - YUMPU
RF 射頻磁控濺鍍沉積五氧化二鉭薄膜之研究- 陶瓷暨電子材料實驗室.
#35. 濺鍍技術及濺鍍設備
伯東企業(上海)有限公司為您提供PVD 濺鍍設備,其中包括了連續式濺鍍設備, ... 40%,圓柱型靶材料利用率>50% 濺射電源分為:直流(DC)、射頻(RF)、脈衝(pulse), ...
#36. 以射頻磁控濺鍍法在玻璃基板上沉積矽鍺薄膜之成分分析
中興大學機構典藏DSpace 系統致力於保存各式數位資料(如:文字、圖片、PDF)並使其易於取用。 ; 關鍵字: SiGe thin film;矽鍺薄膜;RF Magnetron Sputtering;Composition; ...
#37. 真空濺鍍設備- airTMD
設備特色說明. 可使用濺鍍製程為DC(磁控式直流濺鍍)製程與RF(射頻濺鍍)製程,配合所使用之金屬合金靶材(Mo、CdS、AZo、ZnO、Al、Cu、CIS 等),於玻璃基材上濺渡薄膜並堆疊 ...
#38. 濺鍍 - 百科知識中文網
真空濺鍍是通過離子碰撞而獲得薄膜的一種工藝,主要分為兩類,陰極濺鍍(Cathode sputtering)和射頻濺鍍(RF sputtering)。陰極濺鍍一般用於濺鍍導體,射頻濺鍍一般 ...
#39. 赴美國參加SVC 真空鍍膜研討會發表論文
陶瓷靶材以反應性直流磁控濺鍍(Reactive dc magnetron sputtering)製程對AZO薄膜 ... 本的Tottori 大學研究中提出,以射頻電漿輔助直流磁控濺鍍(RF plasma assisted DC ...
#40. 射頻濺鍍鑭鈣錳氧薄膜特性研究及其光偵測元件應用
Properties and Optical Detection of La-Ca-Mn-O Films by RF Sputtering. 摘要. 本研究以射頻濺鍍方式成長鑭鈣錳氧薄膜,實驗發現,高溫退火處理對薄膜表面.
#41. 當年度經費: 1119 千元 - 政府研究資訊系統GRB
關鍵字:二氧化釩薄膜;金屬−絕緣體轉換;節能玻璃;RF 磁控濺鍍 ... 以直流反應磁控濺鍍(DC-reactive magnetron sputtering),沉積VO2薄膜於玻璃基材, 應用於智能 ...
#42. 國家奈米元件實驗室南區辦公室 - 台灣半導體研究中心
系統規格及型號:射頻濺鍍機(Cluster RF Sputter). 廠牌:台灣高敦股份有限公司. Item. 1, Power:RF power generator, Advanced Energy.
#43. 真空濺鍍系統A (Sputtering System A) - 陽明交通大學奈米中心
3.放置地點: 固態電子系統大樓 3 樓實驗室 (TEL:55608). 4.功能:薄膜濺鍍. 5.重要規格: (1).3支4吋濺鍍陰極. (2).POWER: DC 1500W*2台與RF:600W*1台.
#44. 濺鍍製程
在反應式與非反應式的磁控濺鍍製程,配合我們獨特的專有技術來決定採用直流電,脈衝直流,中頻或高頻電源。 一. RF 射頻濺鍍機介紹射頻濺鍍機(RF sputter) ...
#45. Dc,rf - pvd真空磁控溅射镀膜机 - 阿里巴巴全球直采
DC ,RF,MF磁控溅射沉积系统,PVD真空磁控溅射镀膜机 ; 核心组件: PLC, 发动机, 电机, 泵 ; 涂层工艺: 真空镀膜 ; 原产地: Guangdong, China ; 品牌: HCVAC ; 电压: 380V.
#46. SPUTTER 濺鍍Mo 薄膜在不同基板上之表面特性分析Surface ...
本實驗採用二極直流濺鍍機(DC Sputter)見圖1 圖2,靶材採用Mo target Size: 2" x 3mm Purity: 99.99%,以超高純度氬氣(99.9995%,Ar)為腔內氣體。為了增加實驗.
#47. 設備介紹 - 義守大學電子工程學系
本實驗室主要進行交流薄膜電激發光顯示元件之研發,而射頻濺鍍(RF Sputter)系統是以離子加速,通常是用氬氣,經過一電位梯度,以離子去轟擊靶材或陰極,靶材表面的原子 ...
#48. 旋寶好企業 - 首頁| David Lu Corp
濺鍍 系統,可視實際鍍膜需求,依下列選擇性作適當組合:依電源供給方式不同可分為DC 直流濺鍍及MF 或RF 交流濺鍍, 金屬導體鍍膜大都採用DC 直流濺鍍,而導電較差或不 ...
#49. 鍍製光學硬膜之封閉式高能磁控濺鍍裝置及其製造方法
該高功率脈衝電漿源系統3係與該真空腔體1連接,係包含一氣體供應器31及一脈衝控制器32,並使用一直流電源(DC power)33、一射頻(Radio Frequency,RF)34與一高功率脈衝磁控濺 ...
#50. 射頻濺鍍功率對氧化鋅薄膜機械性質之 ... - 崑山科技大學ePortfolio
RF濺鍍 是最被廣為使用的方法,因為RF. 濺鍍可以提供包括了靶材、O2/Ar或純O2的. 氣體流量、基板溫度、以及工作壓力等不同. 參數以沉積出具有良好性質的ZnO薄膜[2]。 以下 ...
#51. 使用射頻磁控濺鍍法沉積二氧化鈦薄膜於矽基板之特性分析
本研究使用射頻磁控濺鍍法,在矽基板上濺鍍二氧化鈦薄膜。使用金屬鈦靶在不同氬氣 ... In this study,TiO2 films were deposited on silicon by RF magnetron sputter.
#52. 玻璃性質分析實驗室(二)
射頻濺鍍機 (RF sputter) 鍍膜的應用相當廣泛,在許多半導體製程、光學玻璃方面等等都使用到濺鍍製程。射頻濺鍍機是利用物理方法的鍍薄膜儀器。其內部運作基本配置於一 ...
#53. 實驗室重要儀器設備1.磁控濺鍍機(Magnetron sputter)
磁控濺鍍機(Magnetron sputter). a.主要規格. (i)電源: DC(240W)及RF(1KW). (ii)雙靶式:3吋靶材. (iii)可加熱至800℃. (iv)最高真空至1.0×10 -6 torr. b.主要功能.
#54. 濺鍍機原理與應用為何? www.tool-tool.com
濺鍍 是利用離子(不限定是氬)轟擊靶材,擊出靶材原子變成氣相並析鍍於基材上。濺鍍具有廣泛應用的特性, ... i) 射頻電濺鍍(RF Sputtering).
#55. 以共濺鍍型高功率脈衝磁控濺鍍系統製備TiCrSiN薄膜之研究
Fig. 2.為本實驗製程示意圖,Ti-10Cr靶及純矽靶分別接上HiPIMS及射頻(RF) 電源,本實驗使用的試片種類包括AISI420不銹鋼及P型(100) 單晶矽晶片,並改變RF功率以鍍製不同矽 ...
#56. 金屬濺鍍靶材
例如純金屬鎳靶,屬於磁性材料,在考量濺鍍成膜效率下,無法使用DC直流磁控濺射濺鍍方式。而用其他RF濺鍍或蒸鍍方式,成本又太高,故進而改變材料特性的設計,如純鎳內 ...
#57. 直流磁控溅射(DC)和射频磁控溅射(RF) - 知乎 - 知乎专栏
直流磁控溅射(DC)和射频磁控溅射(RF) 直流运用直流电源,射频运用交流电源(射频属于交流范畴,频率是13.56MHz。我们平常的生活用电频率为50Hz) ...
#58. 儀器設備Equipment - 中央大學薄膜技術中心
Magnetron Sputter (磁控濺鍍機), Ion Beam Sputtering Deposition System (離子束濺鍍機) ... Three sputter sources (Pulse DC: 0.5&1.5kW, RF 10kW).
#59. 脈衝磁控濺鍍技術介紹 - 材料世界網
有別於傳統的DC或RF磁控濺鍍,脈衝磁控濺鍍在鍍膜時施加中頻的電壓及電流脈衝到靶材上,不但可以避免高絕緣性薄膜濺鍍中的電弧問題,還可以藉著脈衝 ...
#60. 真空镀膜机溅镀的原理介绍
溅镀 ,通常指的是磁控溅镀,属于高速低温溅镀法. ... 利用率>50% 溅射电源分为:直流(DC)、射频(RF)、脉冲(pulse), 直流:800-1000V(Max) ...
#61. Korvus HEX 三合一桌上型PVD系統 - 元鋒精密
桌上型PVD 物理氣相沉積濺鍍蒸鍍egun ebeam 物理氣象沉積. ... 包括單腔和四腔電子束蒸發器,低溫有機蒸發器,RF和DC濺射源(包括HiPims)以及現場測量選件,確保了HEX ...
#62. 國家奈米元件實驗室南部分中心
射頻濺鍍機( RF Sputter ). 一、系統簡介: RF Sputter. 設備名稱:射頻濺鍍機; 設備功能: Deposition film:AZO; 製造商或代理商:創寶科技有限公司; Wafer Size: 6'', ...
#63. NEWS 2021.05 | 勤友光電股份有限公司
勤友光電,對於以反應式濺鍍設備,製作TiO2膜,也同樣發現,以DC power或AC Bipolar的方式,使用Ti靶,通入Ar和O2製程氣體,進行反應性濺鍍成TiO2薄膜,並可藉由控制O2 ...
#64. 國立政治大學理學院應用物理研究所碩士論文
利用射頻磁控濺鍍系統(Radio-Frequency Magnetron Sputtering System)調控濺鍍. 參數的方式,得到最佳熱電性質之薄膜後,再使用半導體製程技術製作微結構的陣列.
#65. 濺鍍機系統 - 世欣科技股份有限公司
多層膜共濺鍍系統. 規 格 1. 腔體尺寸:500mm X 500mm X 400mm 2. 載台旋轉機構 3. 6吋視窗 4. 2吋磁控腔 5. RF-300W,DC-1000W 6. 渦輪高真空幫浦 7. 按鍵氣動互鎖保護
#66. 製備摻雜鎵鋁氧化鋅陶瓷靶材以射頻磁控濺鍍系統沉積透明導電 ...
RF 濺鍍 機上。以背景壓力為6×10-6torr,. 轉速20rpm,Ar 氣體流量為10sccm,最後. 以沉積時間60 分鐘探討不同摻雜之比例. 與薄膜性質之影響。 2.2.1 光學玻璃基板清洗.
#67. 真空熱壓燒結、鍛機鍛造、分析等服務。. - 製程技術
薄膜濺鍍設備包含RF、DC、DC-pulse電源、三靶共濺鍍、反應性濺鍍。 競爭優勢. 擁有堅強研發團隊,能以專業研發設計能力,彈性配合客戶需求,客製化開發高性價比之產品 ...
#68. 濺鍍源 - 見微科技股份有限公司
SCR Series Cathode. 旋轉式磁石,磁石水路分離、較短TS距離,高把材使用率,適用DC、RF、HIPIMS,可 ...
#69. 超高真空磁控濺鍍系統 - 高雄大學貴重儀器中心
RF濺鍍 成長ZnO film.2. DC濺鍍成長Cr film或Mn film; 儀器管理員 胡裕民; 聯絡電話 7468; Email [email protected]; 其他 可以自行操作. Instrument List ...
#70. 鍍膜技術介紹 - 冠晶光電股份有限公司
電漿濺鍍在含氬氣的真空下施加高電壓產生輝光電漿,電漿中的高能正離子(Ar+)撞擊陰極靶 ... 依電源類型分為直流(DC)、射頻(RF)、雙陰極中頻(MF)等。
#71. 7 Plasma Basic
離子轟擊對於蝕刻,濺鍍及PECVD製程非常重. 離子轟擊對於蝕刻,濺鍍 ... DC Bias of CVD Chamber Plasma. Grounded. V = 10 20 V. RF hot. Grounded. Vp = 10 − 20 V.
#72. Sputter - 台大材料力學實驗室
磁控濺鍍系統. 此濺鍍系統採用渦輪分子幫浦,其背景真空值可維持在5 x 10^-7 torr以下,系統內配有兩支三吋濺鍍靶槍(RF, DC各一),其角度、高度皆可調整, 試片載座能慢 ...
#73. 此處由本局於收
RF (射頻)電漿之方法稱為RF濺鍍法,然而利用直流電漿 ... 使用不導電之濺鍍用靶材,但DC濺鍍法必須使用導電之 ... 靶材或離子鍍片之氧化物燒結體,利用DC濺鍍法,該氧.
#74. 濺鍍製程
RF 射頻濺鍍機介紹射頻濺鍍機(RF sputter)是一種薄膜製程儀器, 適用於電機、 機械、 電子、 ... (制程设备)○2 DC Sputter →直流式高功率溅镀机。
#75. RF電源/DC電源 - 台灣京三股份有限公司
應用於IC、TFT-LCD等半導體精密產業之蝕刻、濺鍍工程所需之高週波電源裝置,出力從0.5KW~30KW。 分享到. 台灣京三股份有限公司. 臺中市潭子區建國路3之1號.
#76. 濺鍍原理
此之所谓溅镀乃指物体以离子撞击时,被溅射飞散出。 所不同的是電場方向,電壓電流大小而已。 一般金属镀膜大都采用直流溅镀,而不导电的陶磁材料则使用RF ...
#77. 真空濺鍍原理(圖) 溅镀原理
DC Sputtering原理. 2.RF Sputtering原理. 真空濺鍍製成進行薄膜披覆 ... 一般金属镀膜大都采用直流溅镀,而不导电的陶磁材料则使用RF交流溅镀。 4. 真空濺鍍原理(圖).
#78. 磁电管溅镀机VTC-600-2HD DC/RF 镀金属
DirectIndustry(工业在线展会)为您提供磁电管溅镀机产品详细信息。规格型号:VTC-600-2HD DC/RF,公司品牌:Laizhou Weiyi Experiment Machine Manufacturing Co., ...
#79. 磁控濺鍍系統 - 宇傑真空科技股份有限公司
基板加熱能力, △ Max 800℃ ; 濺鍍系統, △ Φ3"Sputter Gun X 4,每組皆附有獨立式氣動遮板 △ RF Power Generator △ DC Power Generator △ 濺鍍方式:Face Down △ 濺鍍 ...
#80. SPUTTER DEPOSITION 濺鍍沉積設備
Sputter Methods: DC/RF;Diode/Magnetron Gas Lines: 1~3 lines with customized MFCs range. The AccuSputter ® AW 4450-Series Production Sputter Systems are ...
#81. 電漿表面改質技術 - 科普寫作網路平台- 國立自然科學博物館
一般來說,濺鍍可分成直流(DC)與射頻(RF)兩種方式。前者是在樣品與靶材之間 ... 濺鍍技術可以在大面積的基板上鍍出均勻的薄膜,因此廣泛的應用於半導體製程技術。
#82. 中古小型高真空濺鍍機- TURBO PUMP - 關於松中實業
松中真空科技有限公司成立三十年,專門從事各品牌各類大小型幫(泵)浦,提供國內各產業需求。主要產品:各種耐酸鹼幫浦、無油式空壓機、氣動幫浦、食品包裝業、印刷業、 ...
#83. [問題] 請問共濺鍍的相關問題- 看板ChemEng
各位版友好,小弟最近在做畢業專題實驗有遇到一些問題目前我是用三靶磁控共濺鍍平衡DC靶:Ta 平衡RF靶:Ag 非平衡RF靶:Ga2O3.
#84. 奈米能源技術實驗室
射頻磁控濺鍍五氧化二鉭薄膜之光學性質與微結構研究. Optical properties and microstructure of Ta2O5-x thin films prepared by RF sputtering
#85. 封閉式高能磁控濺鍍系統鍍製透明硬膜之技術開發
高功率脈衝電漿濺射之脈衝電源配置圖。 圖10. HIPIMS 和傳統dcMS 濺鍍之靶材電流密度分佈圖。 DC power supply. Capacitor. Power unit. Pulsing unit. Vacuum chamber.
#86. 東海大學> 物理系> 奈米光電實驗室> 儀器設備> Sputter濺鍍系統
Sputter濺鍍系統 簡介. 儀器管理者:施華偉. 基本簡介:. Gun type: 現有三支Gun可使用,依電源分為DC跟RF兩種. Target:Cu, Cr, Ti, Au, Co, Fe, TiO2,Diameter:2".
#87. 簡易濺鍍機介紹 - YouTube
Comments • 12 · DIY Physical Vapor Deposition (PVD) using Thermal Evaporation · Dr. 阿泰的技術教室( RF 篇) · 精密塗佈真空蒸鍍技術世界第一根留台灣 · 【 ...
#88. UNIVEX 鍍膜製程 - Leybold
熱蒸鍍. 熱蒸鍍, 電子束蒸鍍, 有機蒸鍍, 濺鍍, DC 濺鍍, RF 濺鍍, 反應式濺鍍, 脈衝DC 濺鍍 ... 我們的標準熱蒸鍍套件有單、雙或雙獨立配置,適用於單沉積或共沉積。
#89. 批次式鍍膜設備及實驗設備 - 鉅永真空科技股份有限公司
提供產業界及學術界研發用設備 1..小型半自動、全自動高真空濺鍍系統: 2..磁控源: 2"(1-4組) 3..腔體真空度: 1*10-6Torr 4..電源: RF電源、脈衝式DC電源、DC電源
#90. Denton Vacuum - 蒸/ 濺鍍系統 - 光學及半導器材專家
DC /Pulse DC/RF Sputtering & Co-sputtering • Base Vacuum in the 10-6 torr scale range • 8" (200 mm) Substrate Size or Larger • Load Lock Option
#91. 濺鍍機原理
一、DCSputtering原理:(適合導體材料的濺鍍). 在真空濺鍍艙中,打 ...由王泓羿著作· 2010 — 水氣阻隔性複合薄膜之製備,利用射頻磁控濺鍍(RF ...
#92. 活化反應濺鍍法 - 大永真空設備
Han, S. J. Jung, and J. J. Lee, "Deposition of TiO2 Films by reactive Inductively Coupled Plasma assisted DC magnetron sputtering for high crystallinity and ...
#93. 濺鍍機
射頻直流濺鍍機; 英文名稱, RFDC Sputter; 功能說明, 利用電漿對靶材進行離子轟擊 ... 射頻濺鍍機RF sputter是一種薄膜製程儀器適用於電機機械電子光學材料等研究領域 ...
#94. 電漿實驗室- 羅玉林老師的網頁 - Google Sites
脈衝磁控濺鍍是一種薄膜製程儀器,適用於電機、機械、電子、光學、材料等研究領域。射頻濺鍍機基本原理乃根據離子濺射原理,當高能粒子(通常是由電場加速的正離子)衝擊到 ...
#95. 連續式多腔磁控濺鍍設備 - Syskey Technology Co., Ltd.
设备产品 · 客製化基板尺寸最大為1100 x 1300 mm 2 (玻璃)。 · 優異的薄膜均勻度小於±5%。 · 高沉積速率≥ 250nm/min和高效率陰極。 · 濺鍍功率:射頻5kW,直流或脈衝直流20kW。
#96. Sputter 原理[SCHULZ]
一般金属镀膜大都采用直流溅镀, 而不导电的陶磁材料则使用RF交流溅镀, ... 濺射sputtering也稱濺鍍sputter depositioncoating是一種物理氣相沉積技術指固體靶target或 ...
#97. 宽带放大器调谐 - 掌桥专利
使用单个低噪声放大器(LNA)来在维持高增益和低噪声因数的同时提供对RF频率的 ... 开关电感器调谐块214的输出端通过DC阻断电容器C1耦接至信号LNA 216的 ...
#98. 深次微米矽製程技術 - 第 127 頁 - Google 圖書結果
濺鍍膜黏著好、傷害少,缺點為計量( stoichiometry )比偏差。 ... 磁控濺鍍法( magnetron sputtering ) :因大部份鐵電材料為非導體,製程以射頻濺鍍( RF sputtering )為 ...
rf dc 濺鍍 在 [問題] 請問共濺鍍的相關問題- 看板ChemEng 的推薦與評價
各位版友好,小弟最近在做畢業專題實驗有遇到一些問題
目前我是用三靶磁控共濺鍍
平衡DC靶:Ta
平衡RF靶:Ag
非平衡RF靶:Ga2O3
基版偏壓:40W
背景壓力:7E-6~5E-6
氣體:Ar 35 sccm. N2 4.5 sccm
濺鍍時間隨Ag功率增加而增加,最少1hr30min
目前問題是共濺鍍時Ag功率在7-12W時會遇到電漿不穩的現象,而在10W下甚至會電漿熄滅
,而在濺鍍完後靶的中心區域會隨功率的降低,會產生黃色及黑色的範圍會變大,正常表
面應該是銀白色的
緊急解決方式是開關靶的擋板,電漿會重新點起,中間時間不超過一秒即可
真正解決方式是在清靶時開高功率長時間清靶,將上面的黑黃區域清除,再進行濺鍍,這
個問題就會消失,濺鍍時的Ag功率越小,清靶時的Ag功率和時間會越大
在和專題老師討論時
我認為是
因為Ag功率過小,在靶材表面產生毒化,或是其他2支靶在Ag上沉積,進而影響電漿強度
,這樣交互影響後使靶表面的毒化層擴大,最後電漿熄滅
而老師的想法是
靶材熱脹冷縮,使電路產生短路,電漿熄滅,擋版蓋起後,靶才冷卻電路導通,電漿才會
恢復
而中心區域的黑黃部分,是說磁控濺鍍中心本來就不會有鍍率,根本就不會有影響
我想請教各位版友的看法,又或者是有其他可能性,因為老師覺得我對濺鍍原理的理解有
問題,我反覆看了好幾遍濺鍍原理還是找不到問題的原因
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