萊利公式（Rayleigh Criterion）CD=k1 x ( λ / NA)，描述了重要參數間的 ... 在半導體製程中，我們希望生產的晶片體積能夠越來越小、搭載的效能越來 ... ... <看更多>
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萊利公式（Rayleigh Criterion）CD=k1 x ( λ / NA)，描述了重要參數間的 ... 在半導體製程中，我們希望生產的晶片體積能夠越來越小、搭載的效能越來 ... ... <看更多>
#1. 台積電也得靠它，關鍵萊利公式扮演半導體製程微縮重要基礎
ASML 指出，萊利公式為CD=k1 x ( λ / NA)，描述了重要參數間的對應關係，CD（Critical Dimension）中文譯作關鍵尺寸或臨界尺寸，而k1 為變因，λ 則是 ...
ABSTRACT. The minimum width in the semiconductor process is called the critical dimension(CD) generally. The CD monitor in the semiconductor industry is.
#3. 技術與材料優化半導體製程超越物理線寬極限 - DigiTimes
而在半導體製程進入7奈米節點後，不僅製程前段、後段會面臨更挑戰， ... Edge Roughness；LER)、導線蝕刻的臨界尺寸(Critical Dimension；CD)與整個晶 ...
#4. 半導體＆ ETCH 知識，你能答對幾個？ - 吳俊逸的數位歷程檔
半導體 中一般金屬導線材質為何? ... 半導體中一般介電質材質為何? ... 答：蝕刻後特定圖形尺寸之大小,特徵尺寸(Critical Dimension). 何謂CD bias?
#5. 關鍵尺寸_百度百科
關鍵尺寸(Critical Dimension，簡稱CD)是指在集成電路光掩模製造及光刻工藝中為評估及控制工藝的圖形處理精度，特設計一種反映集成電路特徵線條寬度的專用線條圖形。
#6. 關鍵尺寸(Critical Dimension，簡稱CD)是指在積 - 華人百科
關鍵尺寸(Critical Dimension，簡稱CD)是指在積體電路光掩模製造及光刻工藝中為評估及控製工藝的圖形處理精度，特設計一種反映積體電路特征線條寬度的專用線條圖形。
#7. 博碩士論文行動網
論文摘要在半導體晶圓製造過程中，製程需要三百多道手續，而在這些製程在蝕刻製程後都有一定的圖案的大小，稱為臨界尺寸(Critical Dimension，CD)。CD的大小及變異對於 ...
#8. 微影技術,光罩,曝光機,Critical Dimension,G-line,I-line,KrF,ArF ...
根據美國半導體產業協會的資料顯示，每隔三年半導體IC的生產技術便要往前推一個世代，在Roadmap中，0.18微米世代的半導體產品必須在1999年量產，而0.13微米的產品是 ...
#9. critical dimension半導體 - 軟體兄弟
critical dimension半導體,2020年10月21日— 半導體中一般金屬導線材質為何? ... 半導體中一般介電質材質為何? ... 答：蝕刻後特定圖形尺寸之大小,特徵尺寸(Critical ...
#10. 疊對量測不確定度評估 - AOIEA
由於半導體製程關鍵尺寸(Critical Dimension) 設計的逐年減小，利用傳統光學顯微. 鏡判讀半導體製程中層對層之間的疊對準確度已愈趨困難，根據ITRS(International.
#11. 關鍵尺寸_中文百科全書
自半導體製造業開始以來，器件的CD一直在縮小，從20世紀50年代初期以大約125μm的CD ... 關鍵尺寸(Critical Dimension，簡稱CD)是指在積體電路光掩模製造及光刻工藝中為 ...
#12. 「critical dimension半導體」懶人包資訊整理 (1) | 蘋果健康咬一口
CD ( critical dimension) : ... 從製程上來說: 指在半導體上製做出氧化層及金屬層等, 最後做出積體電路(ICs)的一種製程技術. ,製程中的微影（lithography）技術可說是整個 ...
#13. 以SRM技術監測微影製程控制因子與光阻 - 電子工程專輯
在進階微影度量中，散射測量臨界尺寸(Scatterometry Critical Dimension，SCD)為一種用於控制製程時常見的度量方法，具有回報諸如臨界尺寸(CD)、光阻側壁 ...
#14. 線上半導體2nm製程關鍵尺寸X光量測設備 - 解密科技寶藏
The XRCD metrology tool measures multilayer GAA structures and monitors critical dimensions with atomic-level resolution, reducing measurement ...
#15. 中華大學碩士論文
半導體 微影製程疊對控制之研究 ... 形，CD (critical dimensions)大小，重合是否對準(alignment)，及是否有缺陷(defect)。 微影製程的三大步驟:.
#16. 1. 概要
提起半導體用準分子雷射裝置，幾乎所有機種最為人詬病的，就是經常成本過高。 ... 頻譜的內容稍後我們再做說明，但頻譜變動將直接影響CD（Critical Dimension）。
#17. 讓摩爾定律成真的關鍵： 微影技術— 影響七十億以上個未來
製程中的微影（lithography）技術可說是整個半導體工業相當關鍵的製程，因為目前 ... ture size or critical dimension）；λ 表示在真空中光的波長，而目前所使用的 ...
#18. 半導體製造之動態調整的比例積分控制器及線寬與覆蓋誤差之 ...
A Dynamic Adjusted Proportional-Integral Controller for Semiconductor Manufacturing and an Empirical Study of Critical Dimension and Overlay Errors.
#19. 光學微影的新限制
在積體電路(IC)生產的發展初期，光學微影一直是半導體圖案製程的主流技術。 ... 在晶片、區域、晶圓或抽樣方面的空間偏差亦相當重要，因為它代表CD對製程變異的敏感度 ...
#20. 登入下載全文 - tku
Title (in Chinese), 半導體黃光製程覆蓋誤差改善 ... 的工藝節點也在不斷的進步縮小，往更小的關鍵尺寸(Critical Dimension)發展，縮小電晶體工藝節點，使集成度(集成 ...
#21. 先進半導體製程量測技術- 科技專案成果
3. 開發雷射散射儀檢測技術應用於關鍵尺寸(Critical dimension)、線寬粗糙度(Line width roughness)、側壁角度Sidewall angle)、疊對誤差等多參數In- line ...
#22. 台積電也得靠它，關鍵萊利公式扮演半導體製程微縮重要基礎
ASML指出，萊利公式為CD=k1 x ( λ / NA)，描述了重要參數間的對應關係，CD（Critical Dimension）中文譯作關鍵尺寸或臨界尺寸，而k1為變因，λ則是曝光 ...
#23. PCB製程分析
在製程整合裡面，一開始我們會先介紹半導體概論的部份，第二部份開始進入到製程 ... size或者是它的critical dimension的的方式來控制，來了解到底目前製程遇到什麼樣 ...
#24. APC應用在半導體蝕刻製程之氣體回饋機制 - 中興大學機構典藏 ...
此演算模型已實際應用在半導體廠內，使蝕刻製程的關鍵尺寸(Critical Dimension, CD)技術能夠順利從40奈米推進至30奈米以下。 演算模型是架構在先進製程控制系統(Advanced ...
#25. 半導體中ADI CD是什麼的縮寫資訊整理
半導體 中ADI CD是什麼的縮寫資訊整理&， ADI用語是在於半導體微影製程中，A 代表AFTER ，D 代表DEVEROPER (加ed)，I...,軟體教學,軟體下載,電腦問題,電腦教學.
#26. 【critical dimension定義】資訊整理& asher半導體相關消息
critical dimension 定義,如何裝著很懂半導體晶圓製造？ - 每日頭條,2017年9月7日— 答：是在蝕刻室的清淨或更換零件後，為要穩定製程條件，使用仿真（dummy） 晶圓進行 ...
#27. 半導體微影奈米尺寸的穩定性控制
曝光能量是影響關鍵尺寸(Critical Dimension)的重要因素，曝光能量會改變線寬(Line-Width)與白邊(white wall)的大小，且線寬與白邊這兩者與曝光能量為線性關係( 2 R > ...
#28. 影像自動量測技術（Auto-Metrology） - MA-tek 閎康科技
在半導體製程中，測量設備的性能直接影響製程調變的能力和產量的提升， ... 量測工具來滿足這些重要的量測，例如：CD值（Critical Dimensions）、薄膜 ...
#29. 半導體cd 意思 - KVD
25/11/2010 · 在半導體業界製程中用到的ADI CD是什麼的縮寫我只知道CD是defect的一種可是不知道是什麼ADI就不知道是什麼了! 另外還有其他defect的縮寫嗎? 回答數: 2.
#30. optical critical dimension原理 | 健康跟著走
optical critical dimension原理- opticalcriticaldimension原理,傳統CD測量方法已接近先進半導體元件解析度的有效極限，如臨界尺寸掃描電子顯微鏡(CD-SEM)和...
#31. 茂德科技股份有限公司茂德科技股份有限公司直接人員考前秘笈
茂德科技股份有限公司. 直接人員考前秘笈. 1. ▫ 半導體工作常用英文單字 ... CD(critical dimension). 線寬、洞徑. 32. Certify ( Qualify). 取得資格.
#32. 因應先進製程需求科磊量測系統搭載新技術 - 新電子
科磊(KLA)推出採用圖像技術的Archer 750疊對量測系統，與針對晶片製造的SpectraShape 11k光學關鍵尺寸(critical dimension, CD)量測系統。
#33. X光散射術之半導體檢測應用 - 機械工業網
由於半導體製程關鍵尺寸（critical dimension, CD）設計的逐年減小，利用傳統的光學儀器來量測製程中的線寬或是層與層之間的疊對誤差（overlay）已愈趨困難。
#34. 我們必須將公式中的λ（光源波長）縮小、NA（反射鏡數值孔徑 ...
萊利公式（Rayleigh Criterion）CD=k1 x ( λ / NA)，描述了重要參數間的 ... 在半導體製程中，我們希望生產的晶片體積能夠越來越小、搭載的效能越來 ...
#35. 發明專利說明書公告本
常會導致關鍵尺寸(critical-dimension; CD)變異。這些 ... 製造方法,用以製造一減少關鍵尺寸變異的半導體晶 ... 一同轉移至半導體晶圓之一光阻層,並使其在蝕刻製程.
#36. critical dimension翻譯及用法- 英漢詞典 - 漢語網
a method for improving the critical dimension uniformity of a patterned feature on a wafer in semiconductor and mask fabrication is provided. 一種在半導體與罩幕 ...
#37. VeritySEM® 5i 量測
應用材料公司VeritySEM 產品系列最新VeritySEM 5i CD-SEM 系統具備獨一無二的內嵌三維功能，可為1x 奈米節點及以上的邏輯和記憶體元件進行大容量量測。
#38. CD-SEM : Hitachi High-Tech Taiwan Corporation
CD -SEM: Introducing the product lineup of HITACHI advanced Critical Dimension - Scanning Electron Microscope.
#39. CN100419962C - 控制半导体装置栅极形成的方法 - Google ...
当设计规则缩减且制程窗口（例如在制程中误差的限度）变为较小时，表面元件的关键尺寸（Critical Dimension, CD)的检验及测定和其横切面形状（轮廓）变成越来越重要。
#40. 曝光監視解決方案解決130 奈米以下微影製程良率偏差問題 - KLA
為預見微影製程中調焦-曝光的偏移會造成線CD製程上的誤差，進而降低 ... Greenberger亦指出：「多家半導體大廠目前投入更多的時間在調焦-曝光的控制 ...
#41. CN101634546B - 一种cdsem机台的校准方法- Google Patents
采用该方法校准CDSEM机台后，其测量CD值准确可靠，各个CDSEM机台测试结果之间 ... [0002] 随着半导体制造技术的发展，关键尺寸（Critical Dimension，⑶）越来越小。
#42. optical critical dimension原理 話題討論 - winXmac軟體社群
optical critical dimension原理話題討論、資訊整理文章，CD-SEM is a dedicated system for measuring the ... winXmac軟體社群 半導體中ADI CD是什麼的縮寫 話題討論 ...
#43. 半導體cd 意思光強度的單位：燭光(cd) - rTNDN
半導體 產業上中下游介紹. CD-SEM: Introducing the product lineup of HITACHI advanced Critical Dimension – Scanning Electron Microscope CD-SEM : 日立先端科技 ...
#44. 國立清華大學博碩士論文全文影像系統
然而大多數的半導體廠都是利用EWMA控制器，無法隨著製程情況的改變而調整控制參數。 ... and an Empirical Study of Critical Dimension and Overlay Errors.
#45. 半導體
Start studying 半導體. Learn vocabulary, terms, and more with flashcards, games, and other study ... CD(critical dimension). 線寬、洞徑. Certify ( Qualify).
#46. 跳脫製程技術極限思維3D IC再續摩爾定律 - 新通訊
幾10年來，全世界半導體的發展大致都不脫摩爾定律的預測，但製程技術改進 ... 由於傳統的193奈米光源早已經大於關鍵尺寸(Critical Dimension, CD)，也 ...
#47. 6 Photolithography
於1950適用於半導體工業. •圖案化製程(patterning process)的關鍵. 正光阻及負光阻 ... Critical Dimension. PR. PR. PR. Substrate. Substrate. Substrate. Good CD.
#48. 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 - IR
中文關鍵詞： 關鍵尺寸,遠紫外光微影,有限時域分析,半導體,微影. 英文摘要： Extreme ultraviolet (EUV) ... critical dimension (CD) variation in EUV tools and.
#49. 半导体量测检测包括什么？ - 知乎专栏
本着上述原则，用case锤炼手艺，在时光长河中累积，居然已经被我做出了上千个THK（Thickness，厚度量测）models 和数百个OCD（Optical CD，光学方法量测关键 ...
#50. IC 製程簡介
dimension shrinkage. 植入法的優勢 ... CD( critical dimension) : ... 從製程上來說: 指在半導體上製做出氧化層及金屬層等, 最後做出積體電路(ICs)的一種製程技術.
#51. 半導體cd 意思 - Xcpxx
半導體cd 意思 ... 教育，性能也將提升一倍，L1-L0的組合） 動態畫面反應曲線10 bit / ・顯示器發光強度的動畫反應曲線/ ・輝度， 簡稱CCD）是一種金屬氧化物半導體（MOS） ...
#52. Applied Materials NanoSEM 3D 二手半导体设备, 中古半導体 ...
Product Description. Applied Materials NanoSEM 3D. Critical Dimension Scanning Electron Microscopes. 300mm wafers. CD SEM. [email protected] ...
#53. 捷測精密科技股份有限公司, 銳宇科技有限公司,Hitachi量測設備 ...
捷測精密科技股份有限公司於2015年成立，為半導體製造設備及零件的供應商，其主要提供半導體產業之客戶相關設備維護與支援等專業服務。特別是我們專精於CD-SEM的設備上 ...
#54. [心得] 半導體黃光製程工作內容分享-7 - 精華區NCKU_PHY_T-T
許多photo會仰賴於design gauge,利用光罩的GDS寫下CD-SEM的recipe 並讓其自動收 ... 再找boundary時,可以先找target pitch的CD (critical dimension), ...
#55. 東南技術學院機械工程系專題製作報告台幣八千元蓋一座八吋晶 ...
我國半導體工業蓬勃發展，尤其是晶圓廠的IC 產品製造，其產業規模 ... (development)、關鍵尺寸(CD﹐ critical dimension)量測與重疊性(overlay). 量測等製程步驟。
#56. NCU Institutional Repository-博碩士論文91236009 詳細資訊
Although the Critical Dimension(CD) value for the repaired defect meets ... 龍文安，半導體奈米技術，二版，五南圖書出版股份有限公司，台北 ...
#57. 台積電也得靠它，關鍵萊利公式扮演半導體製程微縮重要基礎
ASML指出，萊利公式為CD=k1 x ( λ / NA)，描述了重要參數間的對應關係，CD（Critical Dimension）中文譯作關鍵尺寸或臨界尺寸，而k1為變因，λ則是曝光機所用的光源 ...
#58. 國立成功大學機構典藏
Critical Dimension Graphical User Interface Configurable Logic Blocks Electronic Design Automation Design For Testability
#59. OCD系列光学线宽量测 - 匠岭半导体ENGITIST
OCD (Optical Critical Dimension) 光学线宽量测应用于三维特征尺寸量测和复杂轮廓分析，可以提供CD-SEM或原子力显微镜AFM所无法提供的资讯， ...
#60. 半导体发展过程中的“小”与“大”--技术文章频道
特征尺寸（Critical Dimension）往往指晶体管栅极长度尺寸，例如，0.5 µm的技术节点对应了0.5 µm栅极长度的晶体管。多年来，技术节点的定义已延伸， ...
#61. <font size=4>系所新聞</font>--資訊工程學系 - 嘉義大學
為厚植嘉義大學理工人才培育，台積電捐贈四台半導體製程機器設備予本校資訊工程 ... 量測掃瞄式電子顯微鏡（Critical Dimension Scan Electronic Microscope, CD-SEM） ...
#62. 奈米技術計量標準計畫（5/6）
資訊發表，篇名「小角X-射線散射用於半導體關鍵尺寸的量測應用」。 吳文立博士，負責Intel 與NIST 的計量研究合作計畫，Intel 請NIST 協助於. 50 nm CD 量測及光阻的奈 ...
#63. 銳宇科技有限公司 - 104人力銀行
主要服務項目為CD-SEM (Critical Dimension Scanning Electron Microscope) 販售及售後服務、翻新、改造、及耗材提供等，客戶群為國內外半導體廠。 敝公司以誠信創新及專業 ...
#64. ovl 半導體
[半導體] 微影基本步驟基本步驟： 上光阻(Spinner)→ 曝光→ 顯影→顯影後檢查(ADI)→CD量測→Overlay(OVL) 量測ADI：After Developed Inspection CD：Critical ...
#65. 以SRM技術監測微影工藝控制因子與光阻 - 人人焦點
KLA-Tencor在過去15年來爲半導體產業IC組件的CD與外觀形狀量測，提供利用橢圓偏光法(spectroscopic ellipsometry)以及反射法(reflectometry)的SCD度量 ...
#66. 半導體制造、Fab以及Silicon Processing的基本知識- 頁3
何謂ADI CD? 答：Critical Dimension，光罩圖案中最小的線寬。曝光過後，它的圖形也被復制在Wafer上，通常如果 ...
#67. 台灣技術研發中心製程開發工程師/ Photolithography Process ...
Develop proficiency for CD Uniformity and Reg characterization software tools. ... 工作性質：: 全職; 職務類別：: 半導體工程師 ... 半導體製程工程師.
#68. 極紫外線散射儀| 刊物內容| 博士文創PHDBOOKS | 機械新刊
關鍵尺寸-小角X射線散射術(CD-SAXS, Critical Dimension-Small Angle X-ray Scattering)已被確認為是以透射X射線所造成的小角度散射來量測三維nm尺度結構 ...
#69. Foup door - 晶圓盒 - 政府研究資訊系統GRB
近年來國內半導體製造業隨著半導體晶圓關鍵尺寸微小化，晶片關鍵尺寸(critical dimension，CD)將縮小至5~7nm，因此對於晶圓傳送盒FOUP(Front Opening Unified.
#70. 科技發展觀測平台
The critical dimension (CD) is highly influenced by the reactive ion etching (RIE) of silicon in the CMOS technology. The CD has to be well-controlled since ...
#71. CD SEM 相关CD-SEM 相关
半导体 集成电路中刻蚀线宽的精确性直 ... 测量已成为半导体行业未来发展的关键 ... 纳米级测量(Nanometer Metrology): Critical Dimension (CD).
#72. 漢微科併購案對台灣半導體設備業之影響與啟示
這起收購案正是前段高階微影製程與後段元件臨界尺度(critical dimension, CD)高階檢測之最佳結合案例。 內文標題/圖標題/表標題
#73. 以SRM技术监测微影工艺控制因子与光阻 - 电子工程专辑
KLA-Tencor在过去15年来为半导体产业IC组件的CD与外观形状量测，提供利用椭圆偏光法(spectroscopic ellipsometry)以及反射法(reflectometry)的SCD度量 ...
#74. 這裡| ocd半導體| 生病了怎麼辦-2022年1月
您即將離開本站，並前往這裡 · 確認離開返回上頁. 常見健康問答. ocd量測原理ocd量測Optical critical dimension橢圓偏振光ocd量測解析度光學膜厚量測原理橢圓偏振儀 ...
#75. tSAXS量測於半導體產業之應用 - SlideShare
Since 2005 tSAXS (called CD-SAXS then) has been listed in InternationalTechnology Roadmap for Semiconductors [1] as a potential solution to ...
#76. 極紫外光微影製程- 維基百科，自由的百科全書
EUV光源波長比目前DUV（深紫外線微影）的光源波長短，約為15分之1，因此能使用於線距更小電路圖案的曝光上。然而EUV光罩與傳統的光罩截然不同，當採用13.5nm波長的極紫外光 ...
#77. 半導體領域最近經常提到的7nm, 5nm工藝是什麼？ - GetIt01
最近半導體，手機，電腦，晶元領域經常能聽到使用了7nm工藝或者5nm工藝。 ... 或柵極長度（gate length）等特徵尺寸（CD，critical dimension）來表示得出的結果。
#78. 台積公司協助美商巨積公司降低下一世代產品百分之二十五的 ...
... 技術與先進半導體製程巧妙整和的創新技術，能有效降低每個產品的漏電耗能。 ... 台積公司降低功耗服務藉由臨界尺寸（Critical Dimension）的微調 ...
#79. NEBULA S200/DS200光罩-晶圓CD量測設備 - 連進電子股份 ...
在光罩和晶圓的製作過程中,需要即時進行線寬Critical Dimension (CD)的控制,以便確定工藝的有效性, CD 量測工具是必不可少的。NEBULA的CD 量測主要用於ADI和AEI的線寬 ...
#80. 半導體製程設備技術 - 第 107 頁 - Google 圖書結果
2.1.2 濕式蝕刻的目的在半導體元件的的製造過程中,需要利用黃光微 ... 導致半導體元件線寬失真,因此不適用於臨界尺寸(Critical Dimension, CD)小於3μm之圖形。
#81. 半導體製程設備 - 第 591 頁 - Google 圖書結果
... 崩應 556,584 CCIG 冷陰極離子計 258 CD , compact disk 光碟 48 CD , critical dimension 關鍵尺寸 561 CDA , clean dry air 潔淨的乾燥空氣 178 burner 燃燒室 ...
#82. 半導體產業營業秘密與智慧財產權之理論與實務
電晶體有一個很重要的幾何尺寸,即為圖中閘極下方的通道長度(channel length),此尺寸又稱為臨界尺寸(CD, critical dimension),因為若能夠於製造的晶圓上成功完成某一 ...
#83. 半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 189 頁 - Google 圖書結果
... 更重要的一點是微影也影響到晶圓的尺寸問題,因為微影是關鍵尺寸(critical dimension, CD)能否越做越小的關鍵之所在。簡單地說,微影就是將我們所設計好的圖案, ...
#84. Asml escan. The Netherlands (Address of principal executive ...
K-T e-beam tool (SEMSpec 27xx and eS-2x, eDR-5xxx and eV300, CD-SEM 81xx ... 幫助客戶進行早期的製程整合研發。 asml是半导体行业的创新领导者。 hmi escan 430.
#85. critical dimension定義 - Aquarhead
A Critical Dimension SEM (CD-SEM: Critical Dimension Scanning Electron ... CD-SEM is mainly used in the manufacturing lines of electronic devices of ...
#86. 高科技產業製程安全技術與管理: 本質較安全設計
... 圖 7 半導體黃光製程發展尺寸趨勢 可知目前技術障礙(Technical Barriers)在邏輯 IC 方面 10nm 左右已成為最重要的先進產品競爭關鍵尺寸(Critical Dimension, CD), ...
#87. Asml escan. ，係研發電子束晶圓檢測設備的核心技術。2003年 ...
隨著半導體製程技術不斷微縮，製程中的缺陷忍受度也越來越小，而為了能更符合客戶端的產能 ... The method can simultaneously measure Critical Dimension (CD), ...
#88. What is the difference between a semiconductor fabrication ...
The name of the fabrication process is only one of the critical dimensions -- and it doesn't even correspond exactly to a specific critical dimension ...
critical dimension半導體 在 [心得] 半導體黃光製程工作內容分享-7 - 精華區NCKU_PHY_T-T 的推薦與評價
(六) photo中所謂的know-how
所謂know-how,簡單地說,就是如何利用手中或是Fab內已有的工具來解決問題的能力.
礙於security,這裡只介紹boundary limit, AIO (all in one), 惡化實驗.
(六-1)
先談boundary limit的概念.很多時候,photo需要收resist model或是process window.
這兩者都需要收集大量的pitch (line + space)與pattern資料來確定各別的window與
weak point.許多photo會仰賴於design gauge,利用光罩的GDS寫下CD-SEM的recipe
並讓其自動收資料,這種做法的缺點是動輒要收數千到萬筆的資料,而且若是困難的
pattern又需要在伺服器前補點 (相信許多photo都很痛恨這點,常常捕到想睡覺,又
有schedule壓力),所以這時候善用boundary的概念有助於改善此點.一般個人習慣會
對此光罩一次曝三片wafer,第一片拿來找boundary,第二片拿來收資料,第三片拿來補沒量
到的資料或是double check有問題的pitch.再找boundary時,可以先找target pitch的
CD (critical dimension),並在撒開energy-focus的die找一下到哪些die即是window
所在.接下來每隔一定的pitch就找一下上下限的boundary die的位置.所以全部的
pitch要收的die的位置就確定了.這樣子就不需要像disign gauge一樣,不但量測
較慢,而且又會因為量全部的die而點數過多.一般CD-SEM一個小時量350-400點,
若是用design gauge建recipe,會變一個小時量250-300點,老是讓自己點數過多
而把整個CD-SEM的時間簽下來,會讓你的同事怨恨你的.而且硬碟空間也不夠,一直
要求別人把他的量測資料刪除的人也很討厭.
有些情形下,也會遇到雖然光罩沒有該pitch或是CD,但是老闆要你確定其window的情形.
打個比方,現在要量個CD是X1,pitch是X2,但是光罩沒有X2,那photo就可以找光罩上
最接近X2的pitch,一個較大,另一個較小,然後都曝到CD為X1,收其兩個pitch的window,
就可以訂出pitch=X2的時候的大概window.反之,如果現在有pitch=X2,但是光罩沒有
開足夠的寬度使得在Eop (optical energy)條件下沒有CD=X1,那就利用強迫曝更大
Energy的情況下將CD撐到X1,而這時候量出來的window就是lower boundary,因為
是在較為惡劣的情況下得到的window.
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 123.193.33.152
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