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mos ron計算在 [問題] 關於MOSFET - 看板Electronics - 批踢踢實業坊的推薦與評價

作者sillyquans (Jim77639)

看板Electronics

標題[問題] 關於MOSFET

時間Mon Oct 19 13:32:59 2020

目前使用MOSFET有一些特性詢問

如 Vds = Ids x Rds(on)

如果將Vds電壓一直往上加的話

在電流固定情況下，Rds會超出spec給的值嗎?

實驗上Vds = 14V、Ids = 20mA,計算Rds得到700歐姆 > 5(spec max.)

還請解惑感謝

--

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 211.23.163.140 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1603085583.A.281.html

→ samm3320: 你在固定IDS的情況下，沒辦法控制VDS往上加 10/19 16:10

→ samm3320: 除非你去調VGS 10/19 16:11

推 kdjf: 你的Vgs不是spec給的turn on範圍 10/19 16:28

推 pcv510: 直接拿一刻來玩 10/19 19:20

推 jeffic0730: 你應該想反了喔，Rds(on)就是已經把MOS打開後的阻抗 10/19 23:38

→ jeffic0730: 值，你把MOS打開後，max最大就是5mohm，然而Rds的阻 10/19 23:38

→ jeffic0730: 抗值跟Vgs電壓有關。另外，你只能給一個電源，沒辦法 10/19 23:38

→ jeffic0730: 給電壓源14V又給電流源20mA去求電阻，因為照你這樣做 10/19 23:38

→ jeffic0730: ，我把MOS換成導線，這樣阻值算起來也是700？ 10/19 23:38

→ cmosdigital: Vds一直往上加電流怎固定？ 10/20 00:15

→ sillyquans: 我是analog output應用,目前能控制0~20mA 10/20 01:10

→ sillyquans: 當Vds從0慢慢加到14V,電流依舊維持20mA 10/20 01:12

→ sillyquans: 關於Vgs部分，透過OPA來調整GS偏壓，使其導通 10/20 01:13

→ sillyquans: 我實際應用是24V -》mosfet Vds -> 500歐姆 10/20 01:15

→ sillyquans: 控制20mA流入500歐姆，此時Vds為14V 10/20 01:16

→ sillyquans: 如果我在24V先串700歐姆的話，Vds為1V 10/20 01:17

→ sillyquans: 這兩個差異在於電壓降是在700歐姆還是Mosfet 10/20 01:18

→ sillyquans: 如果是在MOSFET上，則Ploss = Vds x Ids 10/20 01:19

→ sillyquans: 但Vds = Ids x Rds(on)，明顯Rds超出spec 10/20 01:19

→ god145145: ON 10/20 07:19

→ cmosdigital: Vds從0到14V 請問Vds=0的時候如何有20mA電流？ 10/20 09:09

→ cmosdigital: Vgs是保持定值還是越來越大或小？ 10/20 09:10

→ cmosdigital: 你的偏壓方式導致MOSFET的串聯電阻效應出現通常MOSF 10/20 09:14

→ cmosdigital: ET的spec會大略寫測試手法 10/20 09:14

→ cmosdigital: 另外你probe電壓的位置在哪？ 10/20 09:15

→ samm3320: spec on一定會定義VGS的值，不然要怎麼定義什麼叫做on 10/20 09:32

→ samm3320: 你用op控制mos只開一點點阻值當然會比較大 10/20 09:33

→ samm3320: mosfet本質上就是電壓控制的可變電阻 10/20 09:41

→ samm3320: 你調整VGS鎖住電流去對RDS on的spec本來就是沒意義的動 10/20 09:43

→ samm3320: 作 10/20 09:43

→ cmosdigital: 是的 Vgs和spec上不同探討超過spec是沒有意義的 10/20 09:48

→ yiting428: 建議你去複習電子學 10/20 12:14

→ yiting428: 還有建議你po電路圖，因為目前來看你的文字敘述有矛盾 10/20 12:20

→ yiting428: 存在 10/20 12:20

→ sillyquans: 實際電路轉模擬

10/20 16:17

→ sillyquans: 當接上695歐姆後，計算得到Rds(on)為4.9 < 5(spec) 10/20 16:18

→ sillyquans: 如果把695歐姆拿掉的話，Vds為24-10 = 14V, 會變燙 10/20 16:19

→ sillyquans: 這已經是產品化了，我只是想探討沒接695歐姆時 10/20 16:20

→ sillyquans: 此時Rds(on)=Vds/Ids,會得到非常大的值,是否合理? 10/20 16:21

→ samm3320: 這種接法去看Ron根本沒意義啊，VDS被你調大以後，OP會稍 10/20 17:03

→ samm3320: 微調低VG讓你VS保持在VREF上，VGS都不一樣要怎麼比。 10/20 17:03

→ sillyquans: Hi Samm大，我有另回文附上電路圖 10/20 17:10

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（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron * Qg等。 ... 选择MOSFET的下一步 ...

#77. 碳化矽：經歷46億年時光之旅的半導體材料

而在模組整體的損耗模擬計算 ... 第3代SiC-MOSFET相比第2代，主要是架構從DMOS變成了溝槽型閘極(UMOS)，這一變化可在同尺寸的條件下，將標準化導通阻抗(Ron) ...

#78. 用阱作高阻漂移区的LDMOS 导通电阻的解析模型3

首先介绍该LDMOS 的结构;然后给出沟道区线. 性电阻的计算公式;提出了考虑场极板高阻区的电. 阻计算公式;最后是计算结果的对比和导通电阻成. 分的分析. 2 ...

#79. 开关电源MOS的8大损耗和设计选型你都了解吗？

截止损耗，指在MOSFET 完全截止后在漏源电压VDS(off) 应力下产生的漏电流IDSS 造成的损耗。截止损耗计算. 先通过计算得到MOSFET ... Ron 尽量小的电压值 ...

#80. 附下载】开关电源每个元器件计算细节，各种拓扑设计 ...

额定电流值越大，Ron就越小，成本越贵。取值主要考虑. 1. MOS的D-S极耐压. 2. Ron的大小. 3.结电容的大小. 4.

#81. 功率MOSFET - 維基百科，自由的百科全書

功率MOSFET和IGBT都有隔離的閘體，因此在驅動上比較容易。功率MOSFET的缺點是增益較小，有時閘極驅動的電壓甚至比實際要控制的電壓還低。

#82. スイッチのオン抵抗をシミュレーションで確認する方法

つまり、ドレイン-ソース間の電位差は限りなく小さくなるので、MOSトランジスタは線形領域で動作する。線形領域の電流式を使って、Ronを求めると、以下のように計算できる ...

#83. 干货| MOS管栅极驱动电阻该如何设计，看这篇就够了！

#84. 降壓轉換器效率之分析

計算條件是以轉換器工作在連續導通模式（CCM）、固定開關頻率、固定輸入電壓和固定輸出電壓之下的。 A : 功率半導體的功率損耗. HMOS（高側MOSFET）之功耗有：切換時與導通 ...

#85. 深入了解， SiC MOSFTE 中的导通电阻Ron

我们之前也多次讨论了IGBT，并且它结合了双极型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的优点，从而对逆变电路进行了革新。同样在1980年 ...

#86. 第一章類比設計導論

完整的MOS小信號模型. Page 34. MOS元件做為電容器之特性. NMOS操作於累積模式下 ... 計算電壓－電流回授放大器之(a)輸入阻抗和(b)輸出阻抗。 F. mF in. X. I. gRRV = 0. )/(.

#87. 〈分析〉一文解析MOSFET、IGBT產業與獨領風騷之處

依照傳統汽車中，以半導體單車價值350 美元計算，功率元件價值約在70 美元。但進入到電動車世代，其電池動力模組要用大量的電力設備，電力設備中都含有 ...

#88. 高中電子學_場效電晶體_單元3 D-MOSFET之結構 ... - YouTube

高中電子學_場效電晶體_單元3 D- MOSFET 之結構特性及直流偏壓Part A D- MOSFET 的結構與符號介紹、工作原理、IDSS的定義_郭浩鵬.

#89. MOS管损耗如何计算及计算公式-竟业电子 - 场效应管

MOS 管损耗组成：导通损耗Pon+截止损耗Poff+开启过程损坏+关断过程损耗+驱动损坏Pgs+Coss电容的泄放损耗Pds+体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f+体内寄生 ...

#90. 電路設計專欄— Buck Part1 電路專有名詞 - Adaptive 最適化顧問

DCM：Discontinuous-Conduction Mode (不連續導通模式)：. 輸出電感儲能與釋能的電流是不連續的，輸出電感的能量會釋放完，但Upper MOS沒有立即導通 ...

#91. 电路基本理论 - 第 402 頁 - Google 圖書結果

... MOS 场效应管的栅极上,时钟电压为高电平时,管子导通,低电平时管子截止。由于管子截止时的漏电电阻 Ror 比管子导通时的导通电阻 Ron ... 计算,时间常数 r = RonC 可估计约为 ...

#92. 模拟集成电路基础 - 第 180 頁 - Google 圖書結果

... MOS 管构成的基本电流源电路如图 4-7 所示。图中, VT 为基准管, VT ,为输出管,两 ... Ron ~ ( mm ) = Aurde 1 gds2gds1 ( 180 模拟集成电路基础.

#93. 模拟电路的计算机分析与设计: PSpice 程序应用

PSpice 程序应用高文焕, 汪蕙. 以上分析表明,单沟道 MOS 开关要求其负载电阻 R 要远远大于其导通电阻 Ron ... 计算出 RL = 100k2 和 1k2 时的输出电压波形如图 6.5.12 所示, ...

#94. 高等模拟集成电路 - 第 54 頁 - Google 圖書結果

... Ron 图 1.5.3 CMOS 模拟开关( VTH VDD - VTH '图 1.5.4 CMOS 模拟开关导通电阻 ... MOS 器件在时钟的控制下,不断地在可变电阻和截止区两个工作状态之间转换。在转换过程 ...

#95. Die Europäische FAMA, Welche den gegenwärtigen Zustand der ...

... Mos ju noch V. Dieses kommet , daß noch ... 計算 liche groffe Rosten und Aufwand auf liche 208 Von Pommerit . Tartar Cham eine Bündniß getroffen habe. Mos ...

#96. Reforma de los descalzos de nuestra señora del Carmen de la ...

... mos mendicantes , i obligados por efto al bien de las almas , fintiendo que ... ron ; 54 Greg , XIII Felipe II : • Libro VI ..

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