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【相控陣列變頻微波技術開發】❄低溫退火技術助攻產業升級再進化！
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隨著半導體製程的演進，元件線寬及膜厚均達10奈米左右之尺吋，容易因傳統超過攝氏900度以上🔥高溫退火帶來的副作用，導致元件失效。 經濟部技術處偕同工研院，研發微波退火環節中的技術創新，透過微波相位與變頻整合控制，可直接均勻加熱半導體薄膜材料，不僅將溫度降至攝氏500度以下，成本還可節省近一半，極具產業競爭力💪。
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工研菁英獎創新研發做護國群山最佳後盾
#半導體 #中介層 #3D堆疊 #AI #微波退火 #電路板
交大光電所劉柏村特聘教授分享其研發多年之「超臨界流體技術：氣液態共存態」，此技術可應用於前瞻單晶堆疊三維積體電路（Monolithic 3D IC）製程、平面顯示薄膜電晶體陣列（TFT array）製程，以及軟性電子與薄膜元件製程技術，其特色為低溫（小於200℃）製程，可應用於各式軟性或硬式基板製程。
此外，劉教授研發之「鍺次氧化物移除方法」專利亦為一種應用超臨界流體於鍺基金氧半場效電晶體元件之製程技術，可提升鍺半導體通道表面的品質，有效降低鍺基金氧半場效電晶體元件的閘極漏電流。
劉柏村特聘教授研發之「半導體元件製造方法」專利技術，應用微波退火技術於非晶態金屬氧化物半導體製程中，可以有效提升氧化物薄膜電晶體元件的效能與電性可靠度。
工研院研發的「半導體 微波退火 」技術採用2.45GHz微波管，成本僅工業等級5.8GHz的1/10、平均使用壽命長6倍，且產出晶圓均勻性達99.5%，超越廠商99%的 ... ... <看更多>
半導體 微波退火. 「半導體製程」需要透過加熱 、冷卻❄來改善材料的微結構，目前主流技術一次只能處理 ... ... <看更多>
微波退火 在 【AG-T】微波退火 的推薦與評價
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