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臺灣半導體新里程，天虹科技ALD薄膜製程設備，首度成功被量產🉐！
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國內業者天虹科技在經濟部技術處支持下，突破國產高階半導體設備自製瓶頸，擺脫長期仰賴國外設備的困境，成功開發出一套完整的Mini及Micro LED所使用💡「原子層沉積ALD設備」，並成功獲得全球LED芯片領導品牌-晶元光電的採用，成為晶元光電推動LED科技商業化的重要夥伴，展現出臺灣👍在開發高階半導體設備的能力，並持續為深化台灣半導體設備產業鏈貢獻心力。
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【產業資訊】隨著半導體元件的尺度逐漸縮小，蝕刻造成的側壁缺陷逐漸無法忽視，PECVD 已無法提供足夠的階梯覆蓋率，ALD 沉積技術則能解決這項問題。
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【SiCＸGaN 卡位戰起跑！】
儘管目前 SiC 晶片成本仍較 IGBT 貴上 4～5 倍，然著眼於碳化矽 (SiC) 功率器件將受惠於全球交通電氣化轉型的不斷前行——從火車、有軌電車和無軌電車，到公共汽車、小汽車和電動汽車充電樁，微芯科技 (Microchip) 宣佈推出 SiC 功率模組套件，讓開發者無需再單獨採購功率模組和閘極驅動器 (包括用於成品生產的閘極驅動器)，不必在檢驗功率模組後又花費時間開發自己的閘極驅動器，可大幅縮短數個月的開發週期。
另有鑑於目前氮化鎵 (GaN) 市場，功率電晶體和驅動 IC 通常是離散元件，使設計人員必須學習兩者間的協同作業以達到最佳性能，意法半導體 (ST) 推出全球首個單封裝整合矽基驅動晶片和 GaN 功率電晶體的解決方案；而恩智浦半導體 (NXP) 亦為 5G 射頻功率放大器 (PA) 於美國錢德勒啟用全新 6 吋 (150mm) 氮化鎵晶圓廠，針對氮化鎵技術進行深度最佳化，改善半導體中的電子陷阱 (electron trapping) 問題，藉由一流的線性度提供高效率和增益。
製程方面亦有所突破。派科森 (Picosun) 公司利用原子層沉積 (ALD) 薄膜塗層解決上述困境：將預清洗方法與高介電常數和大能隙絕緣子結合使用可降低介面陷阱密度。與此同時，為滿足寬能隙設備測試需求，量測大廠太克科技 (Tektronix) 推出新型參數測試系統，可為晶圓廠最大程度減少投資並最大化每小時的晶圓產出。寬能隙半導體也牽動變壓器產業的生態，為平面變壓器 (Planar Transformer) 帶來需求轉捩點。
延伸閱讀：
《SiC、GaN 初入成長期，創新方案輩出》
http://www.compotechasia.com/a/feature/2020/1112/46363.html
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