原子層蝕刻技術從實驗室走入晶圓廠
延長摩爾定律的工作將越來越依賴高精密製程技術以製作出具有高品質薄膜表面的微小元件。在小於14奈米的技術節點中,電晶體的性能非常容易受到的製程變異的影響,會造成漏電流升高及電池耗電的現象。針對這些挑戰我們可以預期在未來的10年內,電晶體的柵極尺寸將低於50個原子寬度,特徵尺寸的變異將以原子等級的尺度測量,包括表面粗糙度的影響。原子層製程技術是最有機會達到這一精度等級的技術。原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)在半導體產業中已經在生產線上存在了十多年。然而與其相對應的製程,也就是原子層蝕刻技術(atomic layer etching, ALE)卻難以成熟,原因在於它的生產能力還不足以達到所需的成本效益,此外商業化的設備系統也還沒有推出市場。本文我們將提出一種以商用電漿反應器開發的電漿增強ALE,可提供原子級的精準度並適合大量生產的元件製程技術......
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